收藏本站
Si8465DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
4
3
1.5
1.2
0.9
2
0.6
1
0.3
0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Current Derating*
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating
Note:
When Mounted on 1" x 1" FR4 with Full Copper.
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 65363
S09-1922-Rev. A, 28-Sep-09
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI8800EDB-T2-E1 MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT
SI9407BDY-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
SI9433BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI9933CDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
SIA406DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6
SIA421DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
SIA432DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
SIA443DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
相关代理商/技术参数
SI8466EDB 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI8466EDB-T2-E1 功能描述:MOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8467DB 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI8467DB-T2-E1 功能描述:MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI84-680 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI84-680K 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI8469DB 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI8469DB-T2-E1 功能描述:MOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube